官宣！深圳半导体国家队解锁多项“芯”技能，硬核成果集中上新

深圳新闻网2025年10月18日讯（记者 李豫军）10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心（福田）盛大启幕。在这场汇聚600余家全球半导体领军企业的行业盛会上，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称“深圳综合平台”）携多项核心技术成果惊艳亮相，以“开放共享”之姿，为破解产业“卡脖子”难题注入强劲动能。

技术成果发布：不只是领先，更是“破局”

功率半导体是现代电力电子器件、射频器件的“核心潜力股”，尤其在高压、高频、大功率场景中不可或缺。从碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）到氧化镓、金刚石等超宽禁带材料，半导体技术正不断突破天花板。

深圳综合平台作为全球首个集科研与中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台，已构建从研发到产业化的全链条能力，设立四大中心，服务超30家合作伙伴、10家中试客户、45家检测客户，并与8所高校开展科研合作或共建联合实习基地。

2025年，平台完成技术平台1.0，实现多项关键技术突破：

衬底加工：率先实现碳化硅激光剥离技术，8吋单片总损耗＜75μm，切割时间≤20分钟，成本降低26%，整体性能达到国际领先水平。

碳化硅外延：突破200μm超厚膜缺陷控制技术，并在商用4°偏角衬底上首次实现3C-SiC高质量外延生长，为解决栅氧迁移率难题开辟新路径。

1200V SiC平面栅与沟槽栅：突破超窄元胞结构、超高深宽比工艺等关键技术，器件性能达到业界先进水平，并构建全流程自主可控8英寸沟槽栅工艺平台。

GaN外延与器件：高压1200V外延达到国际先进水平，面向车规应用；低压15-40V外延突破选区二次外延技术，为AI供电芯片扫清障碍。

全系GaN器件平台：在25V至650V电压范围实现行业领先，关键技术全面突破。

平台还自研业界首台多功能超宽禁带材料表征系统，并基于国产材料制备出国内首个氮化铝/富铝镓氮HMET器件。同时，自主仿真设计平台与PDK 0.5版本也已上线，为芯片设计企业提供坚实支撑。

未来，平台进一步提升功率密度和器件可靠性，同时在第四代器件方面取得突破，如推出GaN/SiC混合场效应晶体管、SiC 20kV IGBT等。

生态共建：14家伙伴签约，EDA平台正式启用

独行快，众行远。展会期间，深圳综合平台与14家产业链伙伴完成合作签约，覆盖材料、器件、工艺与应用全环节，推动技术成果加速落地。

同时，在国创中心总部指导下，国家第三代半导体技术创新中心EDA设计公共平台正式揭牌启用。该平台将直面设计与流片验证的“卡点”，助力客户基于国产EDA工具与中试线完成芯片验证，打造自主可控的设计仿真支撑体系。

国产装备集体亮相：123台设备完成验证，16台为首台套

在国产化进程中，深圳综合平台携手北京北方华创、大族半导体、上海精测等13家国产设备商，共同点亮16台国产首台（套）设备标识，标志着8吋宽禁带半导体国产工艺设备验证成果正式发布。

截至目前，平台已完成123台套国产设备的验证与熟化，其中16台为细分领域首台套，关键材料国产化验证率高达96%，有力推动产业链自主可控。

开放共享，共创“芯”未来

此次湾芯展之行，深圳综合平台不仅展示了技术平台1.0的硬核实力，更通过EDA平台启用、国产设备验证、PDK/MPW发布等举措，彰显其推动中国半导体产业自主可控与高质量发展的决心。未来，平台将继续秉持开放理念，与全球伙伴携手，共创半导体新未来。