常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的半导体，目前在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域广泛应用。

从人类科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性非常巨大。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。

新基建和“双碳”战略目标推动下，第三代半导体产业正在开启发展加速度，有望成为绿色经济的中流砥柱，引领新一轮产业革命。

11月27日， 由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办，中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会承办、深圳市科技交流服务中心、深圳基本半导体有限公司、深圳中欧创新中心执行的“2021中欧科技创新合作发展论坛”专业论坛——“2021中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳高新园区达实大厦举行。瞄准世界前沿科技，如何更好、更快、更强推动中国半导体发展，成为论坛重点。

深化碳中和愿景下的中欧科技创新合作

论坛上，来自国内及英国、法国、比利时等国际知名的科学家、科技组织、科研院校、行业协会、半导体企业及投资机构等泛第三代半导体产业生态圈的代表参与大会，共同探讨中欧第三代半导体产业发展和应用现况及未来趋势，并就如何深化“碳中和”目标愿景下的中欧科研创新领域协同合作，推动我国第三代半导体产业深入发展，扩大产能增强竞争能力，促进中欧优秀创新科技项目成果对接转化等议题展开深度交流。

深圳市科学技术协会党组成员孙楠、英国皇家工程院院士、剑桥大学Gehan Amaratunga教授、深圳大学微电子研究院院长/半导体制造研究院院长王序进院士分别致辞。

本次高峰论坛包含近十场主题技术演讲，剑桥大学、南京大学、天津工业大学等中欧院校的教授学者，法国知名半导体咨询机构Yole Développement、比利时微电子研究中心等知名研究机构的专家学者，采埃孚、天科合达、汉磊科技、古瑞瓦特、基本半导体等第三代半导体上下游产业链的企业代表欢聚一堂，分别围绕以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料、新技术、新设备、新应用等前沿技术、市场热点、产业化进程和未来趋势等作了精彩分享，共同探讨中欧第三代半导体行业最新技术和发展前景。

中欧第三代半导体产业高峰论坛已经连续五年成功举办，发展成为联动中欧第三代半导体产学研深入交流的创新合作名片。在新基建和“双碳”战略的推动下，中国第三代半导体已经开始由“导入期”向“成长期”过渡，初步形成从材料、器件到应用的全产业链，将有望扛起节能减排的大旗，成为绿色经济的中流砥柱，引领新一轮产业革命。

　　创新为基创芯为本 三大系列碳化硅新品推出

“创新为基，创芯为本”，11月27日，基本创新日活动在大厦启幕。深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，吸引中外与会者高度关注和赞扬。

此举标志着基本半导体产品布局进一步完善，产品竞争力再度提升，将助力国内第三代半导体产业进一步发展，受到了现场来自汽车、工业、消费等领域以及第三代半导体产业生态圈的多位业内人士的高度关注。

后疫情时代下，全球汽车产业普遍面临“缺芯”难题，而以碳化硅为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一，在电机控制器、车载充电器、DC/DC变换器等关键部件中发挥重要的作用。

发布会上，深圳基本半导体有限公司研发汽车级全碳化硅MOSFET功率模块家族成员首次正式整体亮相，包括半桥MOSFET模块Pcore 2、三相全桥MOSFET模块Pcore 6、塑封单面散热半桥MOSFET模块Pcell 等。该系列产品采用银烧结技术，相较于传统硅基IGBT功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低寄生电感、更低热阻等特性，综合性能达到国际先进水平，特别适合应用于新能源汽车。

基本半导体成功研发第三代650V、1200V系列碳化硅肖特基二极管，相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在延用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更强的浪涌能力，更高产量。

基本半导体研发的的混合碳化硅分立器件。不同于全硅基IGBT+FRD，这款产品在以硅基IGBT作为核心开关器件的单管器件中，将器件中的续流二极管从硅基FRD换成了碳化硅肖特基二极管。根据测试数据显示，这款混合碳化硅分立器件的开通损耗比硅基IGBT的开通损耗降低约32.9%，总开关损耗比硅基IGBT的开关损耗降低约22.4%。

（原标题《2021中欧第三代半导体高峰论坛在深圳举行，深企重磅发展碳化硅系列新品》）