电科材料山西烁科晶体有限公司常务副总经理魏省汝:2009年,我们已经研制出了2英寸的碳化硅衬底(晶片),当我们把衬底(晶片)的尺寸从2英寸扩展到4英寸,单个芯片的成本可以降到原来的1/4。现在再做到8英寸,相当于在4英寸基础上又可以再降低70%到80%的成本。
研制大尺寸、高性能的晶片,碳化硅晶体生长装备是关键。十年前,中国电科研发的碳化硅长晶装备,仅能生产2英寸或4英寸的小尺寸晶体,工艺水平和生产效率都不高。目前,这些晶体生长以及产业链配套相关装备,已经完成了多轮迭代升级。
电科材料山西烁科晶体有限公司常务副总经理魏省汝:2009年,我们已经研制出了2英寸的碳化硅衬底(晶片),当我们把衬底(晶片)的尺寸从2英寸扩展到4英寸,单个芯片的成本可以降到原来的1/4。现在再做到8英寸,相当于在4英寸基础上又可以再降低70%到80%的成本。
研制大尺寸、高性能的晶片,碳化硅晶体生长装备是关键。十年前,中国电科研发的碳化硅长晶装备,仅能生产2英寸或4英寸的小尺寸晶体,工艺水平和生产效率都不高。目前,这些晶体生长以及产业链配套相关装备,已经完成了多轮迭代升级。